Rendimiento de Alta Velocidad**: La Unidad de Estado Sólido M.2 1024GB HIKSEMI HS-SSD-WAVE(P) PCIe3 ofrece velocidades de lectura y escritura impresionantes de hasta 3500 MB/s gracias a su interfaz PCIe de alta velocidad, proporcionando una experiencia informática fluida y sin interrupciones. Tecnología 3D NAND para Mayor Rendimiento: La tecnología 3D NAND impulsa el rendimiento y la estabilidad de la SSD a nuevas alturas, ofreciendo una mayor capacidad y una fiabilidad excepcional para todas tus necesidades digitales. Construcción Resistente y Segura:Diseñada para resistir golpes y caídas, la unidad cuenta con una construcción sin estructura mecánica y un control electrónico de chips, garantizando la…
Disco SSD M.2 HIKSEMI 1024Gb Wave (5679)
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Descripción del producto
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Rendimiento de Alta Velocidad**: La Unidad de Estado Sólido M.2 1024GB HIKSEMI HS-SSD-WAVE(P) PCIe3 ofrece velocidades de lectura y escritura impresionantes de hasta 3500 MB/s gracias a su interfaz PCIe de alta velocidad, proporcionando una experiencia informática fluida y sin interrupciones.
Tecnología 3D NAND para Mayor Rendimiento: La tecnología 3D NAND impulsa el rendimiento y la estabilidad de la SSD a nuevas alturas, ofreciendo una mayor capacidad y una fiabilidad excepcional para todas tus necesidades digitales.
Construcción Resistente y Segura:Diseñada para resistir golpes y caídas, la unidad cuenta con una construcción sin estructura mecánica y un control electrónico de chips, garantizando la integridad de tus datos en todo momento.
Personalización del Rendimiento: Con un firmware inteligente y herramientas de gestión avanzadas, puedes personalizar fácilmente el rendimiento de la SSD según tus necesidades específicas, asegurando un rendimiento óptimo en cualquier situación.
Compatibilidad Versátil: Ya sea para tu ordenador personal, portátil o la consola de juegos PS5, la serie SSD WAVE(P) de HIKSEMI es la opción ideal para aquellos que buscan lo mejor en rendimiento y seguridad, brindando potencia sin límites en todas tus actividades digitales.
Factor de forma: M.2 2280
Capacidad: 1024GB
Velocidad de lectura: 2450MB/s
Velocidad de escritura: 2450MB/s
Max. Ran. 4K read IOPS: 146K
Max. Ran. 4K write IOPS: 128K
Consumo: 3.1W
TBW: 240TB
Medio de almacenamiento: 3D NAND
Interface: PCIe
MTBF: 1.500.000 horas
Temperatura de funcionamiento: 0 – 70°C