Factor de forma: M.2 2280 Capacidad: 512GB Velocidad de lectura: 1025MB/s Velocidad de escritura: 1800MB/s Max. Ran. 4K read IOPS: 55K Max. Ran. 4K write IOPS: 225K Consumo: 2,2W TBW: 120TB Medio de almacenamiento: 3D NAND Interface: PCIe 3.0 MTBF: 1.500.000 horas Temperatura de funcionamiento: 0-70°C
Disco SSD M.2 HIKSEMI 512Gb Wave PCIE 3.0 (5716)
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Descripción del producto
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- Factor de forma: M.2 2280
- Capacidad: 512GB
- Velocidad de lectura: 1025MB/s
- Velocidad de escritura: 1800MB/s
- Max. Ran. 4K read IOPS: 55K
- Max. Ran. 4K write IOPS: 225K
- Consumo: 2,2W
- TBW: 120TB
- Medio de almacenamiento: 3D NAND
- Interface: PCIe 3.0
- MTBF: 1.500.000 horas
- Temperatura de funcionamiento: 0-70°C