- Factor de forma: M.2 2280
- Capacidad: 512GB
- Velocidad de lectura: 1025MB/s
- Velocidad de escritura: 1800MB/s
- Max. Ran. 4K read IOPS: 55K
- Max. Ran. 4K write IOPS: 225K
- Consumo: 2,2W
- TBW: 120TB
- Medio de almacenamiento: 3D NAND
- Interface: PCIe 3.0
- MTBF: 1.500.000 horas
- Temperatura de funcionamiento: 0-70°C